NB:    Samsung Electronics представил первый в мире чип DRAM для мобильных телефонов емкостью 1Гб, а также другие открытия, еще больше подчеркивающих лидерство Samsung в сфере внедрения инноваций.

Среди них SiP («все в одном» — система-в-корпусе) c 300 MHZ центральным процессором, флэш память NAND 1 Gb, 256 Mb чип DRAM для мобильных телефонов, драйвер IC (DDI) с поддержкой свыше 262 000 цветов для активных матриц OLED-дисплеев, чип DDI с поддержкой разрешения qVGA и qVGA ЖК-дисплей диагональю 2,5 дюйма для МР3- плееров.

Новые разработки были продемонстрированы 700 представителям известных компаний-производителей на втором Форуме мобильных решений Samsung, который прошел в Тайбее, Тайвань.

Усовершенствованный модуль SiP

Посетителям Форума продемонстрировали новый модуль SiP, в который входят процессор частотой 300 МГц и разные типы памяти — флэш NAND емкостью 1 Гб и 256 Мб DRAM. Этот высокопроизводительный модуль с высокой плотностью размещения компонентов обеспечит ускоренную обработку и хранение большого объема данных в портативных игровых устройствах, мобильных телефонах, видеокамерах, КПК и смартфонах. Совмещая процессор и различные полупроводниковые элементы с помощью пакетной технологии, Samsung способствует развитию системной интеграции, снижению энергопотребления и преодолению ограничений по размерам устройств, что в целом значительно повышает надежность системы.

1 Гб DRAM

В рамках Форума мобильных решений Samsung также впервые представил чип DRAM емкостью 1 Гб. Новая разработка соответствует высоким требованиям к производительности, предъявляемым современными цифровыми видеокамерами. Чип также поддерживает разрешение от 5-мегапикселей и выше для цифровых фотоаппаратов. Новая память SDRAM имеет пропускную способность 664 Мб/сек, и оптимизирована под работу с напряжением 1,8 вольт, увеличивая также продолжительность работы от батареи благодаря применению собственных технологий Samsung PASR (Partial Array Self Refresh) и TCSR (Temperature Compensated Self-Refresh).