NB:    "Samsung Electronics представила образец многочипового блока (МСР), в котором объединены чип мгновенной памяти 64Mb NAND и Uni-транзисторная RAM (UtRAM) 32 мегабит с низким потреблением энергии. Компания приступила к рассылке образцов производителям мобильных телефонов. Флэш-память NAND и устройство UtRAM MCP являются недорогой альтернативой обычным чипам флэш-памяти NOR и чипам SRAM MCP. В настоящее время мобильные телефоны поставляются с устройствами МСР, в которых содержится чип флэш-памяти 32 Mb и 8Mb SRAM. Дальнейшее увеличение емкости осуществляется за счет установки дополнительных МСР с характеристиками 16Mb флэш и 4Mb SRAM. Новое изделие компании Samsung может удовлетворить потребности в памяти большей емкости, не требуя использования дополнительных устройств МСР."